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我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到(通常是0.5-5MHZ之間)。
下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF10V規格為例，深圳市宗盛源科技有限公司來為大家說明鉭電容的頻率特性AVX鉭電容溫度特性曲線。
AVX鉭電容的溫度特征鉭電容器的電容隨溫度變化而發生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定思瑞三坐標和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。
損耗角正切(TAN)這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦思瑞三坐標頻率。它用的術語是功率因數、損耗因子和介電損耗。COS(90-)是真正的功率因素。使用測量進行測量譚橋梁提供一個0.5VRMS120HZ的正弦信號。
耗散與溫度的關系耗散系數隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OXICAP相同電容器。
耗散因數測量的切線損耗角(TAN)，以百分比表示。測量DF是開展測量橋梁供應一個0.5VRMS120HZ的正弦信號，諧波與2.2VDC.DF值是溫度和頻率依賴性。
耗散因素的頻率依賴性隨著頻率的增加損耗因素所示鉭和OXICAP電容器的典型曲線相同，這是電流思瑞三坐標的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗，半導體層的電阻電容、電極和引線電感，在高頻率導致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為，阻抗Z阻抗是在25度和100KHZ。
AVX鉭電容的等效串聯電阻ESR阻力損失發生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點、粘性勢力內介質和生產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR.ESR的頻率依賴性和可利用的關系。
AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性ESR和阻抗都隨頻率增加，在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗變得更加重要。
AVX鉭電容能承受的思瑞三坐標和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應力會穿過電介質，從而破壞了介質。例如一個6伏的鉭電容在額定思瑞三坐標運行時，有一個167千伏/毫米思瑞三坐標的電場。因此一定要確保整個電容器終端的思瑞三坐標決不會超過規定的浪涌思瑞三坐標評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體，二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容增加了元件的可靠性。額定思瑞三坐標使用上常見的思瑞三坐標軌跡、低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/V，如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數高達70%，在這種情況下，可能需要更高的思瑞三坐標比作為一個單一的電容。A系列組合應被告用來增加工作思瑞三坐標的等效電容器。
例如，兩個22UF25V系列部分相當于一個11UF50V的一部分。是指電容在很短的時間經過最小的串聯電阻的電路330HMS(CECC國家1KΩ)能承受的最高思瑞三坐標。浪涌思瑞三坐標常溫下一個小時時間內可達到高達10倍額度思瑞三坐標并高達30秒的時間。浪涌思瑞三坐標只作為參考參數，不能用作電路設計的依據，在正常運行過程中，電容應定期充電和放電。不同溫度下浪涌思瑞三坐標的值是不一樣的，在85度及以下溫度時，分類思瑞三坐標VC等于額定思瑞三坐標VR，浪涌思瑞三坐標VS等于額定思瑞三坐標VR的1.3倍;在85-125度時，分類思瑞三坐標VC等于額定思瑞三坐標VR的0.66倍，浪涌思瑞三坐標VS等于分類思瑞三坐標VC的1.3倍。
鉭電容的反向思瑞三坐標AVX鉭電容的反向思瑞三坐標是有嚴格的限制的，具體如下：
在1.0V25度條件下最大為10%的額定直流工作思瑞三坐標在0.5V85度條件下最大為3%的額定直流工作思瑞三坐標在0.1V125度條件下最大為1%的額定直流工作思瑞三坐標反向思瑞三坐標值均以鉭電容在任何時間上的最高思瑞三坐標值為準，這些限制是假設鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉如發生在開關瞬態極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續施加反向思瑞三坐標會導致兩極分化，將導致漏電流增大。在何種情況下連續反向應用思瑞三坐標可能會出現兩個類似的電容應采用與負端接回配置連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個標稱電容。
鉭電容的疊加交流思瑞三坐標(Vr.m.s.)——又稱紋波思瑞三坐標這是最大的r.m.s.交流思瑞三坐標，疊加一個特區思瑞三坐標，可應用到一個電容。、
