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晶閘管\18D1\68A7208P18A\PRX/GE美國(guó)\可控硅原廠原件
電子負(fù)載,顧名思義,是用電子器件實(shí)現(xiàn)的“負(fù)載”功能。具體地說(shuō),電子負(fù)載是通過(guò)控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量,使功率管耗散功率,消耗電能的設(shè)備。電子負(fù)載類似于可以拉載電流的輸入設(shè)備,如同一個(gè)可編程的功率電阻。直流電子負(fù)載應(yīng)用領(lǐng)域直流電子負(fù)載通過(guò)模擬實(shí)物負(fù)載和負(fù)載波形,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電源供應(yīng)器規(guī)格特性的測(cè)試,也可以作為ATE或ATS系統(tǒng)的組成單元,在線對(duì)充電器、蓄電池等的壽命特性及功率電子元器件的參數(shù)特性進(jìn)行測(cè)試。
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天線是一種變換器,它把傳輸線上傳播的導(dǎo)行波,變換成在無(wú)界媒介(通常是自由空間)中傳播的電磁波,或者進(jìn)行相反的變換。在無(wú)線電設(shè)備中用來(lái)發(fā)射或接收電磁波的部件。天線總輸入功率的比值,稱該天線的增益系數(shù)。它是比天線方向性系數(shù)更的反映天線對(duì)總的射頻功率的有效利用程度。并用分貝數(shù)表示。可以用數(shù)學(xué)推證,天線增益系數(shù)等于天線方向性系數(shù)和天線效率的乘積。天線的發(fā)明天線是由俄國(guó)科學(xué)家波波夫發(fā)明的。1888年,29歲的波波夫得知德國(guó)物理學(xué)家赫茲發(fā)現(xiàn)電磁波的消息后,這位曾經(jīng)立志推廣電燈的年輕科學(xué)家對(duì)朋友們說(shuō):“我用畢生的精力去安裝電燈,對(duì)于廣闊的俄羅斯來(lái)說(shuō),只不過(guò)照亮了很小的一角:假如我能指揮磁波,那就可以飛越整個(gè)世界。
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尤其是在以下兩種情況下,非常不建議采用兩線制測(cè)試:測(cè)試導(dǎo)線過(guò)長(zhǎng),R1R2偏大,有時(shí)甚至?xí)叱霰粶y(cè)電阻,兩線制測(cè)試極易導(dǎo)致結(jié)果錯(cuò)誤;被測(cè)電阻Rb為低阻值時(shí),饋線電阻的影響會(huì)比平時(shí)更大,也容易造成讀數(shù)誤差較大。蓄電池的內(nèi)阻很小,2V電芯的典型內(nèi)阻為.3mΩ,所以對(duì)于此類阻值的測(cè)量,需要采用更的測(cè)試方法。四線制測(cè)試原理四線制測(cè)試法即為開爾文測(cè)試法。如下圖所示,開爾文連接有兩個(gè)要求:對(duì)于每個(gè)測(cè)試點(diǎn)都有一條激勵(lì)線和一條檢測(cè)線,二者嚴(yán)格分開,各自構(gòu)成獨(dú)立回路:激勵(lì)回路用于測(cè)定流過(guò)Rb的電流I1,檢測(cè)回路用于測(cè)定Rb兩端的電壓V34,因電壓表的內(nèi)部阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于檢測(cè)回路的饋線電阻R3和R4,因此流經(jīng)電壓表的電流I2幾乎為零,所量到的電壓V34也幾乎是Rb本身的壓降。
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