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Ishizaki等進行了帶缺陷超疏水膜層的腐蝕機理研究，由于裂縫的存在使膜層局部區域的疏水性降低，腐蝕介質通過裂縫滲入，從而發生腐蝕，伴隨著腐蝕產物的積累，膜層被進一步破壞，使表面由超疏水狀態變為超親水狀態，腐蝕擴展，終超疏水膜層破壞。如何避免或減輕這些缺陷帶來的不利影響，是超疏水膜層的研究課題之一。相法制備超疏水膜層的研究進展目前用于制備超疏水膜層的CVD方法包括常溫常壓化學氣相沉積（常溫常壓CVD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、氣溶膠輔助化學氣相沉積（：：CVD）等。溫常壓化學氣相沉積常溫常壓CVD不需要復雜精密設備，沉積薄膜組成及結構可控，具有成本低、操作簡單、制備膜層重復性好、膜層均勻、適用范圍廣以及對基體材料無損害等優點。Rollings等研究了甲基三氯硅烷（TCMS）合成納米纖維的影響因素，包括反應物濃度和配比、反應物分布均一性、合成時間和催化劑用量；相關學者還研究了反應溫度對制備膜層疏水性的影響；Karla等采用拉曼原位監測技術研究了CVD制備碳納米管（CNT）的形成和生長過程。
