“壓敏電阻是中國(guó)大陸的名詞，意思是"在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變"，或者是說"電阻值對(duì)電壓敏感"的阻器。相應(yīng)的英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫為“VDR”。
壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體，所以它是半導(dǎo)體電阻器的一個(gè)品種。現(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價(jià)元素（Zn）和六價(jià)元素氧（O）所構(gòu)成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導(dǎo)體”。
在中國(guó)臺(tái)灣，壓敏電阻器是按其用途來命名的，稱為"突波吸收器"。壓敏電阻器按其用途有時(shí)也稱為“電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）”。
2、壓敏電阻電路的“安全閥”作用
壓敏電阻有什么用？壓敏電阻的最大特點(diǎn)是當(dāng)加在它上面的電壓低于它的閥值"UN"時(shí)，流過它的電流極小，相當(dāng)于一只關(guān)死的閥門，當(dāng)電壓超過UN時(shí)，流過它的電流激增，相當(dāng)于閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過電壓，保護(hù)電路免受過電壓的損害。
3、應(yīng)用類型
不同的使用場(chǎng)合，應(yīng)用壓敏電阻的目的，作用在壓敏電阻上的電壓/電流應(yīng)力并不相同，
因而對(duì)壓敏電阻的要求也不相同，注意區(qū)分這種差異，對(duì)于正確使用是十分重要的。
根據(jù)使用目的的不同，可將壓敏電阻區(qū)分為兩大類：①保護(hù)用壓敏電阻，②電路功能用壓敏電阻。
片式壓敏電阻器（VARISTOR）是壓敏電阻器的一種.它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護(hù)器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅（ zn0 ）為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導(dǎo)體元件。它的基本特性是電流一電壓關(guān)系的非線性。當(dāng)加在它兩端的電壓低于某個(gè)閥電壓，即“壓敏電壓”時(shí)，它的電阻值極大，為兆歐級(jí)；而當(dāng)加在它兩端的電壓超過壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級(jí)、毫歐姆級(jí)。
壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標(biāo)稱額定電壓值時(shí)，其電阻值接近無(wú)窮大，內(nèi)部幾乎無(wú)電流流過。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標(biāo)稱額定電壓時(shí)，它將被迅速擊穿導(dǎo)通，并由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，工作電流也急劇增大。當(dāng)其兩端電壓低于標(biāo)稱額定電壓時(shí)，片式壓敏電阻器又能恢復(fù)為高阻狀態(tài)。當(dāng)壓敏電阻器兩端電壓超過其最大限制電壓時(shí)，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無(wú)法再自行恢復(fù)。一般而言,片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下:疊層,切割,排膠,燒結(jié),倒角,涂敷,端電極,電鍍.
在討論ZOV的制作之前，首先應(yīng)該學(xué)習(xí)一下ZOV的導(dǎo)電機(jī)理，因?yàn)閷?dǎo)電機(jī)理和微觀形成機(jī)理是進(jìn)行討論和研究的基礎(chǔ)。對(duì)此，作者推薦兩篇論文，一篇是譚宜成博士的《ZnO壓敏瓷主晶界高非線性形成機(jī)理》(1987年博士論文)。該文詳細(xì)敘述了ZnO壓敏瓷的研制過程，用熱離子發(fā)射、熱助場(chǎng)發(fā)射、場(chǎng)發(fā)射理論，解釋了正反偏肖特基勢(shì)壘的電壓-電流特性，用FromRel-Poolt發(fā)射、遂道效應(yīng)、熱激發(fā)躍遷、空間電荷限制電流理論，解釋了薄絕緣層中的電壓-電流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他對(duì)主晶界、次晶界的形成理論、形成過程及其對(duì)電性能的影響作了很詳細(xì)的研究，尤其是對(duì)致密化過程的研究很有實(shí)用價(jià)值。另一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，該文敘述了從1968年Matsouka發(fā)明ZnO壓敏電阻以來至1987年Suzuoki提出空間電荷引起的電流理論，這20年間壓敏陶瓷導(dǎo)電機(jī)理的發(fā)展。詳細(xì)敘述了8個(gè)模型：①在富鉍晶界層內(nèi)建立的"空間電荷限制電流"模型；②萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面處通過薄層的遂道效應(yīng)"模型；③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶間相異質(zhì)結(jié)的"界面態(tài)肖特基勢(shì)壘遂道效應(yīng)"模型；④Maham提出的"通過具有空穴形成的肖特基勢(shì)壘遂道效應(yīng)"模型，此模型提出了晶界處少數(shù)載流子（空穴）的重要性；⑤Einzinger提出的"通過ZnO同質(zhì)結(jié)構(gòu)的遂道效應(yīng)"模型，此模型指出了冷卻時(shí)在晶界形成缺陷的熱平衡的重要性；⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴積聚使晶界處勢(shì)壘降低造成了壓敏陶瓷的高非線性，空穴是由于耗盡區(qū)的加速電子產(chǎn)生的，勢(shì)壘的大小取決于體陷井和界面態(tài)"⑦萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"有異質(zhì)結(jié)的旁路效應(yīng)"模型，此模型闡明了富鉍晶界層在小電流區(qū)的重要作用，并假設(shè)了通過異質(zhì)結(jié)和富鉍晶界層的平行電流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行業(yè)中沿用；⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜組成的"異質(zhì)結(jié)外引起的空間電荷電流"模型。
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