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三極管的基本結構是兩個反向連結的PN接面，如圖1所示，可有pnp和npn 兩種組合。三個接出來的端點依序稱為發射極（emitter,E）、基極（base,B）和集電極（collector,C），名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關。圖中也顯示出 npn與pnp三極管的電路符號，發射極特別被標出，箭號所指的極為n型半導體， 和二極體的符號一致。在沒接外加偏壓時，兩個pn接面都會形成耗盡區，將中性的p型區和n型區隔開。
晶體三極管的種類很多，分類方法也有多種。下面按用途、頻率、功率、材料等進行分類。
（1）按材料和極性分有硅材料的NPN與PNP三極管.鍺材料的NPN與PNP三極管。
（2）按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關管、高反壓管、達林頓管、帶阻尼的三極管等。
（3）按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。
（4）按工作頻率分有低頻三極管、高頻三極管和超高頻三極管。
（5）按制作工藝分有平面型三極管、合金型三極管、擴散型三極管。
（6）按外形封裝的不同可分為金屬封裝三極管、玻璃封裝三極管、陶瓷封裝三極管、塑料封裝三極管等。
三極管的電特性和兩個pn接面的偏壓有關，工作區間也依偏壓方式來分類，這里 我們先討論最常用的所謂”正向活性區”（forward active），在此區EB極間的pn接 面維持在正向偏壓，而BC極間的pn接面則在反向偏壓，通常用作放大器的三極管 都以此方式偏壓。圖2(a）為一pnp三極管在此偏壓區的示意圖。EB接面的空乏區由于在正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射極的空穴會注入到基極，基極的電子也會注入到射極；而BC接面的耗盡區則會變寬，載體看到的位障變大， 故本身是不導通的。圖2(b）畫的是沒外加偏壓，和偏壓在正向活性區兩種情形下，空穴和電子的電位能的分布圖。三極管和兩個反向相接的pn二極管有什么差別呢？其間最大的不同部分就在 于三極管的兩個接面相當接近。以上述之偏壓在正向活性區之pnp三極管為例， 射極的空穴注入基極的n型中性區，馬上被多數載體電子包圍遮蔽，然后朝集電極 方向擴散，同時也被電子復合。當沒有被復合的空穴到達BC接面的耗盡區時，會被此區內的電場加速掃入集電極，空穴在集電極中為多數載體，很快藉由漂移電流到達連結外部的歐姆接點，形成集電極電流IC。IC的大小和BC間反向偏壓的大小 關系不大。基極外部僅需提供與注入空穴復合部分的電子流IBrec，與由基極注入 射極的電子流InBE（這部分是三極管作用不需要的部分）。InB E在射極與與電 洞復合，即InB E=IErec。pnp三極管在正向活性區時主要的電流種類可以清楚地 在中看出。
以上是三極管的資料，如您對三極管還有什么不了解之處可來電，咨詢我們。
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