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半導體薄膜沉積前驅(qū)體：作為金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、物理氣相沉積（PVD）或原子層沉積（ALD）的關鍵原料，用于制備銦基半導體薄膜，如氮化銦（InN）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）等。這些薄膜是制造高速晶體管、紅外探測器、半導體激光器等器件的核心材料，廣泛應用于 5G 通信、航空航天等領域。
透明導電薄膜輔助原料：可用于輔助制備氧化銦錫（ITO）薄膜的前驅(qū)體體系。ITO 薄膜具有高導電性和高透光性，是觸摸屏、液晶顯示器、太陽能電池等器件的關鍵電極材料，氯化銦通過控制銦離子的均勻分散，能提升薄膜的電學和光學性能。
半導體摻雜劑：在硅基或其他半導體材料中，通過引入微量氯化銦實現(xiàn)精準摻雜，調(diào)節(jié)半導體的載流子濃度，優(yōu)化器件的開關速度和導電效率。氯化銦(Ⅲ)四水合物-22519-64-8