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分立半導(dǎo)體模塊Microchip芯微MSCSM120AM31CT1AG
分立半導(dǎo)體模塊Microchip芯微MSCSM120AM31CT1AG
產(chǎn)品價格:¥1550(人民幣)
  • 規(guī)格:MSCSM120AM31CT1AG
  • 發(fā)貨地:江蘇
  • 品牌:
  • 最小起訂量:1個
  • 誠信商家
    會員級別:鉆石會員
    認(rèn)證類型:企業(yè)認(rèn)證
    企業(yè)證件:通過認(rèn)證

    商鋪名稱:蘇州新電元半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:林小玉(小姐)

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    商品詳情

      規(guī)格型號:MSCSM120AM31CT1AG


      產(chǎn)品屬性 屬性值
      制造商: Microchip
      產(chǎn)品種類: 分立半導(dǎo)體模塊
      RoHS:  詳細(xì)信息
      產(chǎn)品: Power MOSFET Modules
      類型: Phase Leg
      技術(shù): SiC
      Vf - 正向電壓: 1.5 V at 30 A
      Vr - 反向電壓 : 1.2 kV
      Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
      安裝風(fēng)格: Screw Mount
      封裝 / 箱體: SP1F
      最小工作溫度: - 40 C
      最大工作溫度: + 125 C
      封裝: Bulk
      商標(biāo): Microchip Technology
      下降時間: 25 ns
      Id-連續(xù)漏極電流: 89 A
      Pd-功率耗散: 395 W
      產(chǎn)品類型: Discrete Semiconductor Modules
      Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 31 mOhms
      上升時間: 30 ns
      工廠包裝數(shù)量: 1
      子類別: Discrete Semiconductor Modules
      晶體管極性: N-Channel
      典型關(guān)閉延遲時間: 50 ns
      典型接通延遲時間: 30 ns
      Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
      Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
    在線詢盤/留言
  • 0571-87774297  
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