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4英寸碳化硅晶錠工廠 N型SiC襯底晶片廠家
4英寸碳化硅晶錠工廠 N型SiC襯底晶片廠家
產(chǎn)品價格:(人民幣)
  • 規(guī)格:4英寸
  • 發(fā)貨地:江蘇蘇州市
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  • 最小起訂量:1毫米
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    認(rèn)證類型:企業(yè)認(rèn)證
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    商鋪名稱:蘇州恒邁瑞材料科技有限公司

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      4英寸碳化硅晶錠工廠 N型SiC襯底晶片廠家

      蘇州恒邁瑞材料供應(yīng)4英寸碳化硅晶錠,包含導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅晶錠。單個碳化硅晶錠平均厚度20mm,可用于設(shè)備切割測試或后道切磨拋。碳化硅材料用于肖特基二極管(SBD),金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET,結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。這些電子電力器件可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器,風(fēng)力發(fā)電,混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。

      碳化硅襯底主要分為導(dǎo)電型和半絕緣型,導(dǎo)電型SiC碳化硅襯底以n碳化硅襯底為主,主要用于外延GaNLED等光電子器件、SiC基電力電子器件等,半絕緣型碳化硅襯底主要用于外延制造GaN高功率射頻器件。高純半絕緣HPSISI半絕緣是有區(qū)別的,高純半絕緣載流子濃度3.5*1013~8*1015/cm3范圍,具有較高的電子遷移率;半絕緣是高阻材料,電阻率很高,一般用于微波器件襯底,不導(dǎo)電。

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