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南麟NP3400 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
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      30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

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      30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET


      描述 NP3400B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供出色的RDS(上) ?五世 低柵極電荷和高 超低導(dǎo)通電阻的密度單元設(shè)計(jì)。這 器件適合用作負(fù)載開關(guān)或用于PWM 應(yīng)用程序。 一般特征 DS =30V,ID R =5A DS(開)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V RDS(開)(典型值。)= 31mω@ VGS ?高功率和電流處理能力 =4.5V 收購?無鉛產(chǎn)品 ?表面貼裝封裝 應(yīng)用 ? PWM應(yīng)用 ?負(fù)荷開關(guān)

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