.jpg "IXFN140N20P電子元器件IXYS\/艾賽斯封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝批次21")
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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| IXFN140N20P 電子元器件 IXYS/艾賽斯 封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝 批次21 品牌 | 艾賽斯 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數(shù)量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數(shù)量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 200V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 115A | ||
| RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻 | 18mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 20V | ||
| Vgsth-柵源極閾值電壓 | 5V | ||
| Qg-柵極電荷 | 240nC | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 175C | ||
| Pd-功率耗散 | 680W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 12.22mm | ||
| 長度 | 38.23mm | ||
| 系列 | IXFN140N20 | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 寬度 | 25.42mm | ||
| 正向跨導(dǎo)-最小值 | 50S | ||
| 下降時間 | 90ns | ||
| 上升時間 | 35ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時間 | 150ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 30ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | IXFN140N20P | ||
.jpg)
| 品牌： | IXYS/艾賽斯 |
| 型號： | IXFN140N20P |
| 封裝： | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| 批號： | 21 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | IXYS |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | Chassis Mount |
| 封裝 / 箱體： | SOT-227-4 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 115 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 18 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 5 V |
| Qg-柵極電荷： | 240 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 最大工作溫度： | 175 C |
| Pd-功率耗散： | 680 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 12.22 mm |
| 長度： | 38.23 mm |
| 系列： | IXFN140N20 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 25.42 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 50 S |
| 下降時間： | 90 ns |
| 上升時間： | 35 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 150 ns |
| 典型接通延遲時間： | 30 ns |
| 單位重量： | 30 g |
