.jpg "IXFN100N65X2電子元器件IXYS\/艾賽斯封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝批次21")
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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| IXFN100N65X2 電子元器件 IXYS/艾賽斯 封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝 批次21 品牌 | 艾賽斯 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 21 | ||
| 數(shù)量 | 5000 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數(shù)量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 650V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 78A | ||
| RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻 | 30mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 10V | ||
| Vgsth-柵源極閾值電壓 | 3.5V | ||
| Qg-柵極電荷 | 183nC | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| Pd-功率耗散 | 595W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | 650VUltraJunctionX2 | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 正向跨導(dǎo)-最小值 | 40S | ||
| 下降時(shí)間 | 13ns | ||
| 上升時(shí)間 | 26ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 90ns | ||
| 典型接通延遲時(shí)間 | 37ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | IXFN100N65X2 | ||
| 品牌： | IXYS/艾賽斯 |
| 型號(hào)： | IXFN100N65X2 |
| 封裝： | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| 批號(hào)： | 21 |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | IXYS |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | Chassis Mount |
| 封裝 / 箱體： | SOT-227-4 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 78 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 30 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 183 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 最大工作溫度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 595 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | 650V Ultra Junction X2 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 40 S |
| 下降時(shí)間： | 13 ns |
| 上升時(shí)間： | 26 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 90 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 37 ns |
| 單位重量： | 30 g |
