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上架日期： 2012年4月21日瀏覽量： 326次

5D壓敏電阻 7D壓敏電阻 10D壓敏電阻 14D壓敏電阻

產(chǎn)品價格：￥0.1（人民幣）

規(guī)格：5D 7D 10D 14D 20D

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色環(huán)電感|貼片電感|工字電感

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認(rèn)證信息：東莞市宇順?biāo)苣z電子有限公司

商鋪名稱：色環(huán)電感|貼片電感|工字電感

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商品詳情

5D壓敏電阻 7D壓敏電阻 10D壓敏電阻 14D壓敏電阻

東莞市宇順?biāo)苣z電子有限公司

東莞壓敏電阻廠家：www.yusundg.com

一、電壓范圍寬（18V～1800V）
非線性系數(shù)大
通流容量大
響應(yīng)時間快（≤20ns）

二、主要用途徑
半導(dǎo)體器件保護(hù)
家用電器浪涌過電壓保護(hù)
通信、測量、控制儀器浪涌過電壓保護(hù)
電磁閥、繼電器操作過電壓保護(hù)

三、壓敏電阻器是一種具有瞬態(tài)電壓抑制功能的元件，可以用來代替瞬態(tài)抑制二極管、齊納二極管和電容器的組合。壓敏電阻器可以對IC及其它設(shè)備的電路進(jìn)行保護(hù)，防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態(tài)電流（如雷擊等）而造成對它們的損壞。使用時只需將壓敏電阻器并接于被保護(hù)的IC或設(shè)備電路上，當(dāng)電壓瞬間高于某一數(shù)值時，壓敏電阻器阻值迅速下降，導(dǎo)通大電流，從而保護(hù)IC或電器設(shè)備；當(dāng)電壓低于壓敏電阻器工作電壓值時，壓敏電阻器阻值極高，近乎開路，因而不會影響器件或電器設(shè)備的正常工作。

四、產(chǎn)品應(yīng)用
      產(chǎn)品應(yīng)用：開關(guān)電源電源適配器 LED照明電源電腦電源打印機家用電器鎮(zhèn)流器光伏控制設(shè)備通信設(shè)備等產(chǎn)品中。
壓敏電阻，我的阿里巴巴產(chǎn)品目錄：http://guoguanhui888.cn.alibaba.com

五、產(chǎn)品認(rèn)證
    產(chǎn)品已通過UL、CUL、VDE、CCC、CQC、CSA、PSE等世界各國安規(guī)認(rèn)證！

六、我們的服務(wù)
      品質(zhì)一流價格實在交貨期快用心服務(wù)，熱誠歡迎您來電咨詢，洽談。

      歡迎來電、郵件詢價、索取樣品！

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東莞氖燈生產(chǎn)廠家：www.gdyusun.com
東莞電解電容廠家：www.ysdianzi.com
  片式壓敏電阻器（VARISTOR）是壓敏電阻器的一種.它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護(hù)器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅（ zn0 ）為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導(dǎo)體元件。

   它的基本特性是電流一電壓關(guān)系的非線性。當(dāng)加在它兩端的電壓低于某個閥電壓，即“壓敏電壓”時，它的電阻值極大，為兆歐級；而當(dāng)加在它兩端的電壓超過壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級、毫歐姆級。壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標(biāo)稱額定電壓值時，其電阻值接近無窮大，內(nèi)部幾乎無電流流過。當(dāng)片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標(biāo)稱額定電壓時，它將被迅速擊穿導(dǎo)通，并由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，工作電流也急劇增大。

當(dāng)其兩端電壓低于標(biāo)稱額定電壓時，片式壓敏電阻器又能恢復(fù)為高阻狀態(tài)。當(dāng)壓敏電阻器兩端電壓超過其最大限制電壓時，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無法再自行恢復(fù)。一般而言,片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下:疊層,切割,排膠,燒結(jié),倒角,涂敷,端電極,電鍍.

我們在討論ZOV的制作之前，首先應(yīng)該學(xué)習(xí)一下ZOV的導(dǎo)電機理，因為導(dǎo)電機理和微觀形成機理是進(jìn)行討論和研究的基礎(chǔ)。對此，作者推薦兩篇論文，一篇是譚宜成博士的《ZnO壓敏瓷主晶界高非線性形成機理》(1987年博士論文)。該文詳細(xì)敘述了ZnO壓敏瓷的研制過程，用熱離子發(fā)射、熱助場發(fā)射、場發(fā)射理論，解釋了正反偏肖特基勢壘的電壓-電流特性，用FromRel-Poolt發(fā)射、遂道效應(yīng)、熱激發(fā)躍遷、空間電荷限制電流理論，解釋了薄絕緣層中的電壓-電流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他對主晶界、次晶界的形成理論、形成過程及其對電性能的影響作了很詳細(xì)的研究，尤其是對致密化過程的研究很有實用價值。

還有一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，該文敘述了從1968年Matsouka發(fā)明ZnO壓敏電阻以來至1987年Suzuoki提出空間電荷引起的電流理論，這20年間壓敏陶瓷導(dǎo)電機理的發(fā)展。詳細(xì)敘述了8個模型：
①在富鉍晶界層內(nèi)建立的"空間電荷限制電流"模型；
②萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面處通過薄層的遂道效應(yīng)"模型；
③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶間相異質(zhì)結(jié)的"界面態(tài)肖特基勢壘遂道效應(yīng)"模型；
④Maham提出的"通過具有空穴形成的肖特基勢壘遂道效應(yīng)"模型，此模型提出了晶界處少數(shù)載流子（空穴）的重要性；
⑤Einzinger提出的"通過ZnO同質(zhì)結(jié)構(gòu)的遂道效應(yīng)"模型，此模型指出了冷卻時在晶界形成缺陷的熱平衡的重要性；
⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴積聚使晶界處勢壘降低造成了壓敏陶瓷的高非線性，空穴是由于耗盡區(qū)的加速電子產(chǎn)生的，勢壘的大小取決于體陷井和界面態(tài)"
⑦萊文遜（Levinson）、 ⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜組成的"異質(zhì)結(jié)外引起的空間電荷電流"模型。

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