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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用廣泛、經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
中文名 碳化硅 英文名 SILICON CARBIDE 別    稱 硅化碳; 一碳化硅  [1]  化學式 SiC 分子量 40.1 CAS登錄號 409-21-2 EINECS登錄號 206-991-8 熔    點 2700 °C（升華） 水溶性 不溶 密    度 3.2g/cm3 外    觀 黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決于其純度。 應    用 用于磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷。 危險性符號 Xi 危險性描述 36/37/38 [2]
目錄
1 發展歷史
2 物質品種
3 理化性質
物質特性
物質結構
4 制作工藝
5 產能及需求
? 產能情況
? 市場需求
6 產地
7 品質規格
8 制品
9 應用領域
磨料磨具
化工
“三耐”材料
有色金屬
 鋼鐵
冶金選礦
建材陶瓷砂輪工業
節能
珠寶
發展歷史 
碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發現的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。
關于碳化硅的幾個事件
1905年 次在隕石中發現碳化硅。
1907年 只碳化硅晶體發光二極管誕生。
1955年 理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。
1958年 在波士頓召開次世界碳化硅會議進行學術交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前進行研究。到1978年采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產線，供應商開始提供商品化的碳化硅基。
物質品種 
碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 [4]
理化性質 
物質特性
碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。
（遼源石榴石濾料）安裝方便（遼源金剛砂）沉淀池運行效果的影響因素1.污水水質懸浮物顆粒的密度、大小和形狀。一般來說，密度大、粒徑大、形狀較規則的顆粒，其自由沉降末速就大，容易沉降去除。懸浮物的種類如污水中原本帶入的污泥（初沉污泥）比生化處理系統產生的活性污泥容易去除，以消化處理后的穩定污泥比活性污泥易去除。懸浮物的狀態。一般分散狀態的懸浮顆粒比膠體狀態的顆粒容易沉淀。污水酸堿度。通過改變酸堿度，可改變其沉淀性能。污水水溫水溫很低，懸浮物粘滯度增大，沉淀速度會降低；水溫過高，若污泥中有機質，會降低沉淀效果。沉淀池設計負荷沉淀池的水力負荷較大時，水力懸浮物實際沉降速度會降低，沉淀效果變差。尤其是二沉池中的活性污泥，當池中水流流量不穩定時，會因異重流而使沉淀效果變差。沉淀池固體負荷太大，會增加水和懸浮物分離的難度，增加沉淀所需時間，降低沉淀效率。污水水量污水水量大幅度變化，或沉淀池進、出水不均勻，會改變沉淀池水流的穩定性，降低沉淀效果。需設調節池均衡水量，并強化進、出水的均勻性。操作因素沉淀池運行不穩定，如配水設施的運行故障、刮泥或排泥機械的運行不當，都會降低沉淀效果。
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聲級計用：計權網絡，快檔進行測量，取聲級計讀數。機場周圍飛機噪聲測量方法機場周圍飛機噪聲測量方法(GB9661-88)包括精密測量和簡易測量。這里介紹簡易測量。測量條件：氣候條件為無雨、無雪、地面上1m高處的風速不大于5m/s，相對濕度不應超過9%，不應小于3%。傳聲器位置：測量傳聲器應安裝在開闊平坦的地方，高于地面1.2m，離其他反射壁面1m以上，注意避開高壓電線和大型變壓器。所有測量都應使傳聲器膜片基本位于飛機標稱飛行航線和測點所確定的平面內。