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碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1]  ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。 
 碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝 
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。

DINENISO23161211：適用于土壤中一丁基錫、二丁基錫、三丁基錫、一辛基錫、二辛基錫、三錫、三環己基錫、四丁基錫的定性和定量檢測。測方法有機錫的檢測通常包含四個步驟：取樣、萃取、衍生化、儀器測定。目前，根據不同的檢測需求，不同的標準中萃取方法主要有：水浴振蕩或超聲輔助溶劑萃取、固相萃取、微波消解等。此外，各種新型前處理方法也不斷涌現，如固相微萃取、液相微萃取、快速溶劑萃取、超臨界萃取、離子交換等。
其中在含酚廢水處理中應用較多的是Fenton試劑，光Fenton氧化法可在較短時間內將酚完全分解，但對組成復雜的實際廢水，完全礦化則需要較長時間的光照及要消耗較大量的氧化劑。從經濟上考慮，光氧化法適于低濃度、少量廢水的處理；對有機物濃度較高的廢水，單純采用光氧化法能耗高、氧化劑用量大，在經濟上是不可行的。用太陽光代替人工電光源，可節省能源、降低成本，具有廣泛的應用前景，但是如何提高太陽光的光效率仍是研究的熱點。
對節能減排有杠桿作用阿爾卡特朗訊執行副總裁兼亞太區總裁辛睿杰說，29年11月的《福布斯》雜志稱，到22年，ICT可使全球碳排放下降15%。隨著信息通信產業逐步成為經濟的一個高速增長點，綠色ICT將能夠幫助有效緩解部分環境問題，包括應對氣候變化、促進節能減排以及保持生物多樣性等。據初步估計，ICT產業的碳排放總量，占全球碳排放總量的2%，但將ICT技術應用于其他傳統工業，可為工業節能做出98%的貢獻。