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部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz，Pc1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz，Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

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1、摩擦不穩定：如指針和擺軸承不靈活，工作活塞與測力活塞之間的摩擦。可以仔細檢查、清潔和修整，以消除摩擦，消除故障。
2、三維測量儀緩沖閥彈簧失效。消除和更換彈簧。
3、帶動測力活塞轉動的皮帶脫落。掛上腰帶就行了。
4.油粘度太高。需要更換適當粘度的油以排除故障。
5、三坐標測量儀的齒條與齒輪嚙合不良或齒條與上面的彈簧片相撞。可通過調整齒條與齒輪的嚙合及彈簧板的位置來消除。
6、齒條彎曲。需要對齒條進行拉直或更換。
7、三維測量機工作臺上的導輪與立柱碰撞。導輪與立柱間隙可調，保持0.5mm左右間隙即可排除故障。

則導通過程功率管得電流、電壓瞬時值i、u。開通過程：開通損耗為：假設導通后流入功率管電流為IC，關斷后功率管承受的電壓為UC，導通時管壓降忽略不計，則關斷過程功率管得電流、電壓瞬時值i、u。關斷過程：關斷損耗為：則一個開關周期的均開通和關斷損耗PS為：除此之外，管子在關斷期間輸出電容儲存的能量，在管子導通時，損耗在器件內部。在高的輸入電壓下，開通損耗是很大的，尤其當開關頻率高到MHz量級時，電容放電引起的開通損耗占決定性因素。這部分損耗為：軟開關電路：通過在原來的開關電路中增加很小的電感、電容等諧振元件，構成換流網絡，在開關過程前后引入諧振過程，使開關開通前電壓先降為零，或關斷前電流先降為零，就可以消除開關過程中電壓、電流的重疊。

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6.設計變壓器進行計算通過已經參數進行各種參數計算，獲得匝數和電感量。重要的一步原邊電感量已經求出，對于漏感及氣隙，我不建議各位再去計算和驗證。7.布線需要注意的問題在布局與布板方面，需要注意以些問題。1)RCD吸收部分與變壓器形成的環面積盡量小；這樣可以減小相應的輻射和傳導2)地線盡量的短和寬大。保證相應的零電有利于基準的穩定；同時VIPER53DIP這顆DIP-8的芯片散熱的重要通道3)在di/dtdv/dt變化比較大的地方，盡量減小環路和加寬走線，降低不必要的電感特性8.調試過程在這一步，基本上算是設計完成，后面就是焊板調試的過程了。：其實開關電源入門很簡單，好的入門是選用單片的。畢竟省去了啟動電阻。

手持氫氣檢漏儀維修不看后悔但實際應用中不會剛好就是在Tc=25或者80℃，這時候就得想辦法把25℃或者80℃時的SOA轉換成實際Tc時的曲線。怎樣轉換呢？有興趣的可以發表一下意見~把25℃時的SOA轉換成100℃時的曲線：1).在25℃的SOA上任意取一點，讀出VDS，ID，等信息如上圖，1處電壓、電流分別為：88V。59A，tp=10us計算出對應的功耗：PD=VDS*ID=88*59=a）PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC-->此圖對應為Tc=25℃（b）（a），（b）聯立，可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=0.0242).對于同樣的tp的SOA線上，瞬態熱阻ZthJC保持不變。Tc=100℃。hvbdfasf

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