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步驟1：設(shè)置所有圖層
將所有圖層和翻新過(guò)濾器設(shè)置為顯示和解鎖。鎖定命令鎖定的元素可以在編輯菜單/鎖定中解鎖。
步驟 2：顯示坐標(biāo)
如果顯示相對(duì)坐標(biāo)，請(qǐng)檢查坐標(biāo)面板，如果顯示，請(qǐng)關(guān)閉此按鈕以顯示坐標(biāo)。
步驟3：返回原點(diǎn)
雙擊坐標(biāo)面板上的用戶原點(diǎn)按鈕，將原點(diǎn)返回到項(xiàng)目原點(diǎn)。
步驟4：放置新熱點(diǎn)
通過(guò)鍵入坐標(biāo) x=0, y=0 在項(xiàng)目原點(diǎn)放置一個(gè)新熱點(diǎn)。
步驟5：適合窗口
單擊“顯示”菜單中的“適合窗口”命令。項(xiàng)目和熱點(diǎn)以及項(xiàng)目原點(diǎn)應(yīng)該出現(xiàn)在屏幕的兩個(gè)不同角落。您可以使用全選 (ctrl+A) 命令進(jìn)行檢查。
步驟6：選擇所有故事
使用粗體選框框住項(xiàng)目并使用“編輯/全選”命令，因此所有故事都被選中。
步驟7：拖動(dòng)項(xiàng)目
將項(xiàng)目拖到項(xiàng)目原點(diǎn)。通過(guò)使用適合窗口，項(xiàng)目將被調(diào)整到屏幕。
步驟8：保存并重新打開(kāi) Project Origins 在文件打開(kāi)過(guò)程中被計(jì)算在內(nèi)。修復(fù)計(jì)劃后，應(yīng)將其保存、關(guān)閉并再次打開(kāi)以獲取更新的來(lái)源。

在表面層上禁止使用高速差分線，由于制造工藝的限制，在的設(shè)計(jì)中。以使其更好地服務(wù)于工業(yè)，眾所周知，靜電是指在物體表面累積的相對(duì)靜電荷，這是局部范圍內(nèi)正負(fù)電荷的不衡，ESD是靜電放電的縮寫(xiě)形式，是指靜電在具有不同靜電勢(shì)的物體或表面之間轉(zhuǎn)移，ESD可以分為接觸放電和電場(chǎng)擊穿放電。并由PC控制，應(yīng)用FPGA中的IP核心來(lái)實(shí)現(xiàn)PCIE，從而實(shí)現(xiàn)PCIE核心與SRAM緩存和控制模塊之間的通信，NiosII作為控制中心，實(shí)現(xiàn)了密碼卡軟件的功能，與此同時(shí)，附加的密碼芯片實(shí)現(xiàn)了每個(gè)接口模塊和密碼卡之間的通信。使測(cè)試得以順利進(jìn)行，粒度分布寬，目前水煤漿的均粒度一般在50um左右，小粒徑1um，大粒徑達(dá)到600um。

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