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上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可聚焦, 平行, 散射.

KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm

采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.

離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.

適用于離子濺鍍和離子蝕刻, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數:

型號	RFICP 100
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>350 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	10 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
中和器	LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

伯東KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域:

1. 預清洗

2. 表面改性

3. 輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,

4. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC

5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD

6. 離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,   請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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