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Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 技術參數:
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Model |
MEL3100 |
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Main body |
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Wafer size |
3"～6" |
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Power |
AC200V 3ph 40A |
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Wafer per batch |
1 wafer |
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*two lines |
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Cassette |
No. |
25 wafers |
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Cooling |
15 (l/min) |
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Q'ty |
1pc. |
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<20℃ |
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Throughput |
10 (wafer/hr) *1 |
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CDA |
0.5 (MPa) |
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Pressure |
Ultimate |
8×10-5 (Pa) *2 |
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>10 (l/min) |
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Process |
2×10-2 (Pa) *2 |
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N2 |
0.2 (MPa) |
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Etching |
Rate |
>10 (nm/min)@SiO2 *3 |
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>40 (l/min) |
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Uniformity |
±5%@132mm (6") *3 |
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Ar |
0.2 (MPa) |
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Wafer surface temp. |
<100℃ *3 |
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20 (sccm) |
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Stage rotating |
1～20 (rpm) ±5% |
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He |
0.2 (MPa) |
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Stage tilting |
±90°±0.5° |
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20 (sccm) |
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Dimension |
Main body |
1,600×2,175×1,900 |
|
*need additional utilities |
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Controller |
640×610×1,900 |
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Chiller |
555×515×1,025 |
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Weight (kg) |
Main body |
1,700 |
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Controller |
200 |
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Chiller |
100 |
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*1: Estimated process time 5min |
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*2: No wafer on stege / process chamber |
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*3: Depending on process |
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Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產品優勢：
1. 所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩定性和高質量
2. 盒式房間采用高效微粒過濾器
3. 采用高質量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率
4. 占用空間小
5. 傳輸系統采用了 SCARA 型機器人
6. 控制單元系統提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數據記錄可以顯示在屏幕上
7. 高冷卻效果
8. 良好的重復性和再現性的旋轉和傾斜階段具有良好的可重復性利用脈沖電動機
9. 容易維護這個系統設計重點是容易維護和用戶友好
10. 關鍵部件服務伯東的經銷商是系統中的關鍵部件渦輪泵系統、離子源提供客戶快速響應時間和本地服務能力,減少停機時間的工具
該 Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL3100的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術參數：
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射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
運行結果:
1. 有效去除濺射沉積時帶來的污染物
2. 提高了薄膜磁盤的均勻度
3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩定性的連續薄膜型的記錄介質
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
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