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伯東 KRI 離子源成功應用于離子濺射鍍膜 (IBSD)
伯東 KRI 離子源成功應用于離子濺射鍍膜 (IBSD)
產品價格:(人民幣)
  • 規格:KRI 離子源
  • 發貨地:本地至全國
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  • 最小起訂量:1臺
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    商品詳情

      美國考夫曼公司Gridded Ion Sources (柵極離子源) 系列 RFCIP離子源  (射頻電源式考夫曼離子源), KDC 離子源 (直流電源式考夫曼離子源) 已廣泛被應用于離子濺射鍍膜 (IBSD) 工藝.


      離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產生正的氣體離子;在陰極(靶)和陽極(試樣)間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化;形成的中性原子, 從各個方向濺出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.


      伯東 KRI考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP 離子源 (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC 離子源 (直流電原式考夫曼離子源).

      規格如下:

      RFCIP 離子源 (射頻式考夫曼離子源) : RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380 

      KDC 離子源 (直流式考夫曼離子源): KDC10KDC40KDC75KDC100KDC160.

       

      伯東公司為 Kaufman & Robinson, Inc (美國考夫曼公司) KRI 離子源大中國區總代理.

       

      伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源Gel-Pak 芯片包裝盒, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

       

      http://www.hakuto-china.cn/uploadforck/images/image-20200724135740-1.jpeg

       

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