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離子束拋光工藝加工精度和表面質(zhì)量高離子束加工是靠微觀力效應(yīng),被加工表面層不產(chǎn)生熱量, 不引起機(jī)械應(yīng)力和損傷, 離子束拋光加工精度可達(dá)mm級.
因此離子束拋光加工已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 而離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件.
離子源是使中性原子或分子電離, 并從中引出離子束流的裝置. 它是各種類型的離子加速器、質(zhì)譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機(jī)、離子束刻蝕裝置、離子推進(jìn)器以及受控聚變裝置中的中性束注入器、離子束拋光機(jī)等設(shè)備的不可缺少的部件.
在離子束拋光機(jī)中, 離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面.
上海伯東美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī) ( IBF Optical coating ) 及晶體硅片離子束拋光機(jī) ( IBF Clrystalline ) 工藝.考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源于離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動運(yùn)行.
伯東KRI 考夫曼離子源用于離子束拋光工藝
KRI 離子源用于離子束拋光實(shí)際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學(xué)鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib:
84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
KRI 離子源用于離子束拋光實(shí)際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib:
69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
KRI 離子源實(shí)際安裝案例一: KDC 10 使用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)
KRI 離子源實(shí)際安裝案例二: KDC 40 使用于晶體硅片離子束拋光機(jī)
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
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型號 |
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電壓 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
1 |
1 |
2 |
2 |
2 |
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- 陽極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
電子束 |
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- 柵極 |
專用,自對準(zhǔn) |
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- 柵極直徑 |
1 cm |
4 cm |
7.5 cm |
12 cm |
16 cm |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman
& Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded
和霍爾離子源 Gridless.
美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域.
上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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臺灣伯東: 王小姐
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