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AlN是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強(qiáng)度高，且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強(qiáng)，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護(hù)它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎Ｊ覝叵屡c水緩慢反應(yīng).可由鋁粉在氨或氮?dú)夥罩?00~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍(lán)色粉末。或由Al2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成，產(chǎn)物為灰白色粉末。或氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。
AlN+3H2O==催化劑===Al（OH）3↓+NH3↑
(1)熱導(dǎo)率高(約270W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；
(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
(5)純度高；
(6)光傳輸特性好；
(7)無毒；
(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。
產(chǎn)品應(yīng)用：
有報(bào)告指現(xiàn)今大部分研究都在開發(fā)一種以半導(dǎo)體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎(chǔ)且運(yùn)行於紫外線的發(fā)光二極管，而光的波長(zhǎng)為250納米。在2006年5月有報(bào)告指一個(gè)無效率的二極管可發(fā)出波長(zhǎng)為210納米的光波[1]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長(zhǎng)為大約200納米的波通過。但在商業(yè)上實(shí)行時(shí)，需克服不少困難。氮化鋁應(yīng)用於光電工程，包括在光學(xué)儲(chǔ)存介面及電子基質(zhì)作誘電層，在高的導(dǎo)熱性下作晶片載體，以及作軍事用途。
由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。而探測(cè)器則會(huì)放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細(xì)的薄膜。
