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Q173DV火爆勁銷

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第5代A系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本優化的封裝
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內部寄生電感小
功率循環能力顯著改善

應用領域
適合中、低端變頻器產品設計
第5代NF系列IGBT模塊
性能特點
采用低損耗CSTBTTM硅片技術
LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用
額定電流定義比市場上同類產品高一個等級
外形尺寸與H系列IGBT完全兼容
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
通過調整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環能力ΔTc
高功率循環能力
應用領域
通用變頻器，伺服驅動器，UPS，特種電源等
208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A

第5代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用化CSTBTTM硅片技術
有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構
內部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
耐功率循環和熱循環能力強
具有競爭力的性價比
有條件接受客戶定制
應用領域
通用變頻器等交流電動機驅動應用
第5代NFH系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的化
飽和壓降低于業界同類產品
續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內部寄生電感低
應用領域:
變頻焊接設備等中高頻開關應用
第5代NFM系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的化
飽和壓降低于業界同類產品
續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達30kHz
模塊內部寄生電感低

應用領域
變頻焊接設備等中高頻開關應用
3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
第5代MPD系列IGBT模塊
性能特點
的CSTBTTM硅片技術帶來：
杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
新的緊湊型封裝
良好的匹配液體冷卻
多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接
端子孔徑與安裝定位孔徑一致
不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
應用領域
大電機驅動，風力發電，大功率UPS等
第6/6.1代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用第6代IGBT硅片技術，損耗低
二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低
硅片結溫可高達175°C
硅片運行溫度可達150°C
內部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
有條件接受客戶定制

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