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HA-LFS11K1M4為您推薦

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第5代A系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本優(yōu)化的封裝
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小
功率循環(huán)能力顯著改善

應(yīng)用領(lǐng)域
適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計
第5代NF系列IGBT模塊
性能特點
采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù)
LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用
額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級
外形尺寸與H系列IGBT完全兼容
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
通過調(diào)整底板和基板間焊錫的厚度大大改善了溫度循環(huán)能力ΔTc
高功率循環(huán)能力
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器，伺服驅(qū)動器，UPS，特種電源等
208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A

第5代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用化CSTBTTM硅片技術(shù)
有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)
具有競爭力的性價比
有條件接受客戶定制
應(yīng)用領(lǐng)域
通用變頻器等交流電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
第5代NFH系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
應(yīng)用領(lǐng)域:
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
第5代NFM系列IGBT模塊
性能特點
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實現(xiàn)開關(guān)速度控制的化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)30kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低

應(yīng)用領(lǐng)域
變頻焊接設(shè)備等中高頻開關(guān)應(yīng)用
3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
第5代MPD系列IGBT模塊
性能特點
的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來：
杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
新的緊湊型封裝
良好的匹配液體冷卻
多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接
端子孔徑與安裝定位孔徑一致
不同高度的DC端子――直接連接層壓式母線棒
應(yīng)用領(lǐng)域
大電機(jī)驅(qū)動，風(fēng)力發(fā)電，大功率UPS等
第6/6.1代NX系列IGBT模塊
性能特點
采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低
二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)�通壓降�?br /> 硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C
硅片運(yùn)行溫度可達(dá)150°C
內(nèi)部集成NTC測溫電阻
全系列共享同一封裝平臺
有條件接受客戶定制

 HA-LFS11K1M4為您推薦安平縣堅持走創(chuàng)新驅(qū)動之路，推進(jìn)機(jī)器換人、產(chǎn)品換代、換法，大力實施全球頂端設(shè)備采購計劃，先后從德國、瑞士等引進(jìn)價值10億多元的先進(jìn)設(shè)備346臺（套），另外，這一輪煤炭上漲，是從樓市、里撤出來的資金對煤炭的。發(fā)展方向：高端裝備產(chǎn)業(yè)智能電網(wǎng)裝備。在中期，在行業(yè)召集10~15家試點龍頭企業(yè)，根據(jù)自身產(chǎn)品的檢測結(jié)果并結(jié)合趕超體系，對自己的產(chǎn)品進(jìn)行改造升級，發(fā)達(dá)都是在勞動人口銳減、用工成本高漲的背景下，開始發(fā)展本國工業(yè)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)。智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)舞智能發(fā)展不是一蹴而就的，而是自動信息化、互聯(lián)化到智能化層層遞進(jìn)、演變發(fā)展的，藍(lán)劍對一款好產(chǎn)品的定義是：高顏值、好用、。據(jù)悉，目前運(yùn)動控制器已經(jīng)發(fā)展到了基于PC總線的以DSP和FPGA作為核心處理器的開放式運(yùn)動控制器。二是推動特鋼企業(yè)以實施強(qiáng)基工程示范項目為契機(jī)實現(xiàn)轉(zhuǎn)型升級。2016年來，我國涂料投資增速依然保持高位增長，立邦、東方雨虹、阿克蘇諾貝爾、巴斯夫、PPG、艾仕得、宣偉、海虹老人、威士伯等涂料企業(yè)， 

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