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硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態會發生變化，從而其電阻率變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈學特性，在同一切硅材料上進行各向微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個，就組成了一整的擴散硅壓力變送器。
工作原理
被測介質的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產生與介質壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉換輸出一個對應于這一壓力的測量。
技術指標
精度等級：0.25級基本誤差±0.25%
非線性誤差：0.3級≤±0.3%FS
滯后誤差： ≤±0.3%FS
輸出特性：
①0-10mA輸出，負載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出，負載電阻0-600Ω
③恒流輸出內阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出：供電DC24V
防爆標志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6
選型表
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WSD308-1 |
擴散硅壓力變送器（普通） |
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SC308-2 |
擴散硅壓力變送器（防爆） |
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代碼 |
量程范圍 |
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A |
0-5KPa-20KPa |
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B |
0-20KPa-70KPa |
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C |
0-70KPa-350KPa |
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D |
0-200KPa-700KPa |
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E |
0-0.7MPa-3.5MPa |
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F |
0-2.0MPa-7MPa |
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G |
0-7MPa-35MPa |
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H |
0-20MPa-100MPa |
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代碼 |
精度等級 |
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Ⅰ |
0.1% |
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Ⅱ |
0.25% |
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Ⅲ |
0.5% |
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代碼 |
輸出代號 |
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E |
4-20mADC二線 |
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K |
0-10mA |
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M |
用戶約定 |
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代碼 |
壓力連接 |
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R |
型（M20×1.5） |
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P |
齊平膜 |
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O |
按用戶尺寸加工 |
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代碼 |
選項 |
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i |
本安型iaⅡCT6 |
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d |
隔爆型dⅡ4 |
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T |
船用型 |
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M1 |
線性指示表 |
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M2 |
LCD數字顯示表 |
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M3 |
LED顯示表 |
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Z |
阻尼 |
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Q |
遷移 |
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A |
絕壓測量 |
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F |
負壓測量 |
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C |
選用陶瓷傳感器（帶＊量程無） |
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S |
散熱器及連接件 |
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Y |
用戶約定 |
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