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西門子ET200模塊6ES7134-4GB10-0AB0
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產品價格:¥面議(人民幣)
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    商品詳情

      西門子ET200模塊6ES7134-4GB10-0AB0

      2AI, I, ST, 4-WIRE

       

       

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      低頻運行(<10Hz)造成的IGBT芯片溫度波動會減小使用壽命,具體內容可參考“【干貨學院】淺談溫度對IGBT的影響”。

             通常對于運行周期中低頻工作占比小于2%的情況下,現有S120電機模塊電流最大需要降容至75%,對于Chassis-2,脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至90%,如果采用1.25 kHz的脈沖頻率則不需要考慮降容。對于運行周期中低頻工作占比大于2%的情況下,現有S120電機模塊電流最大需要降容至50%,對于Chassis-2,脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至70%,如果采用1.25 kHz的脈沖頻率最大需要降容至80%。

             可以說對比現有S120 Chassis-1,低頻運行下Chassis-2 的降容減小了一半。

      S120 Chassis-2的安裝海拔高度及環境溫度的降容表如下圖,Chassis-2 的運行溫度為-10°C~+45°C,環境溫度高于45°C及安裝海拔高度大于1000米需要考慮降容,同時Chassis-2 還給出了環境溫度60°C的降容數據。

      得益于新型IGBT,采用散熱片及IGBT間傳導率更高的新型導熱膏,創新設計的散熱片,優化的冷卻系統及風扇,S120 Chassis-2的降容特性得到進一步優化,為工程應用提供了更加經濟可靠的解決方案。

       

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