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芯片失效分析（FA測試）
  芯片失效分析測試項目：
  光學檢查(VI/OM)；
  掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；
  微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
  OBIRCH；
  微探針測試(Micro-probe)；
  聚焦離子束微觀分析(Dualbeam-FIB)；
  彈坑試驗(cratering)；
  芯片開封(decap)；
  芯片去層(delayer)；
  晶格缺陷試驗(化學法)；
  PN結染色/碼染色試驗；
  推拉力測試(WBP/WBS)；
  紅墨水試驗；PCBA切片分析(X-section)；
  GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
  芯片可靠性驗證(RA)：
  芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
  高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
  溫度循環試驗(TC),JESD22-A104；
  溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
  高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
  高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
  芯片靜電測試(ESD)：
  人體放電模式測試(HBM),JS001；
  元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
  閂鎖測試(LU),JESD78；
  TLP；Surge/EOS/EFT；
  芯片材料分析：
  高分辨TEM(形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；
  SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；
  Raman(Raman光譜)；AFM(微觀表面形貌分析、臺階測量)；
  廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經驗，可為您提供更專業、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。
  芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。
  芯片測試業務咨詢及技術交流：
  GRGT張工186-2090+8348；
  zhanghp grgtest.com