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半導(dǎo)體IC的生產(chǎn)必須經(jīng)過(guò)薄膜的化學(xué)及氣相淀積，于是便有了光刻和蝕刻兩道重要的工藝 。在芯片加工過(guò)程中，光刻機(jī)放樣，刻蝕機(jī)施工，清洗機(jī)清洗。其中蝕刻這道工序，必須用到蝕刻機(jī)專用靜電吸盤。
氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。
