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    華晶超結(jié)mos管在快充中的應(yīng)用
    發(fā)布者:無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司  發(fā)布時(shí)間:2021-11-30 11:58:58  訪問(wèn)次數(shù):241

    隨著人們生活節(jié)奏的加快,快充在充電領(lǐng)域中伴演著非常重要的角色。為了出門攜帶方便,充電器小型化是必然,提高充電器功率密度已成為重點(diǎn)研究課題。這樣就需要提高功率器件的開(kāi)關(guān)頻率、使用新的半導(dǎo)體材料和生產(chǎn)工藝。比如華潤(rùn)微華晶超結(jié)mos管使用,使用GaN和SiC材料等。


    在PD快充中,一般會(huì)用到三顆MOSFET,分別是初級(jí)高壓MOSFET、次級(jí)SR-MOSFET、VBUS-MOSFET,華潤(rùn)微超結(jié)MOS在PD快充上的應(yīng)用,有相應(yīng)具體型號(hào)與其相對(duì)應(yīng)。與同行相比,在EMI和效率上擁有出色的性能表現(xiàn)。

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