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    英飛凌mos管原裝IPA80R600P7 XKSA1正品N溝道功率場效應
    發布者:深圳市南北行電子發展有限公司  發布時間:2021-07-03 18:48:55  訪問次數:388

    最新的800V CoolMOS?P7系列設置了800V的新基準

    super  junction  technologies 和結合了同類性能和

    先進的易用性,源于英飛凌18年的發展

    開創性的“超級”連接“技術”創新。

    特征

    ?同類 FOM  RDS(on)* Eoss;減少的 Qg, Ciss,和 Coss

    ?同類 DPAK  RDS(開)

    ?“同類”V(GS)th“3V”和“最小”V(GS)th“變化”±0.5伏

    ?集成齊納二極管 ESD 保護

    ?完全符合JEDEC工業應用要求

    ?完全優化的投資組合

    好處

    ?“同類”性能

    ?實現更高的功率密度設計, BOM 節省和更低

    裝配成本

    ?“易于駕駛”和“平行行駛”

    ?通過減少ESD相關故障,提高產量

    ?“減產”問題和“減產”回報

    ?“易于”選擇“合適的”零件,以便對“設計”進行“微調”

    潛在應用

    推薦的用于硬和軟開關用于 LED的反激拓撲

    照明、低功率充電器和適配器、音頻、輔助電源和

    工業電源。也適用于消費類應用中的PFC階段

    太陽能。

    請注意:對于MOSFET并聯,在柵極上使用鐵氧體磁珠

    或者通常推薦使用“分開的圖騰柱”。

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