某研究所在 PZT 鐵電薄膜的電學(xué)性能研究中運用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術(shù)參數(shù):
|
基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
|
樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
|
離子源 |
16cm 考夫曼離子源 |
|
均勻性 |
±5% for 4”Ф |
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
.jpg)
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù)：
|
離子源型號 |
|
|
Discharge |
DC 熱離子 |
|
離子束流 |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
研究表面采用伯東 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 刻蝕工藝后, PZT薄膜的鐵電性能幾乎能恢復(fù)到蝕刻前, 如矯頑場值、漏電流、疲勞性能等, 鐵電性能會得到更好的改善.有利于提高貼點存儲密度, 降低生產(chǎn)成本.
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!