【產品詳情】
訪問存儲器中一個特定位置所需的時間。相關的測量單位通常是十億分之一秒對于主存儲，毫秒用于二級存儲，以及第二用于三級存儲。將讀取等待時間和寫入等待時間分開(特別是對于非易失性存儲器)以及在順序存取存儲的情況下，最小、最大和平均等待時間是有意義的。從存儲器中讀取信息或向存儲器中寫入信息的速率。在計算機數據存儲中，吞吐量通常用每秒兆字節(MB/s)來表示比特率也可以使用。與延遲一樣，可能需要區分讀取速率和寫入速率。此外，順序訪問介質(而不是隨機訪問)通常會產生最大的吞吐量。存儲信息的緊湊性。它是介質的存儲容量除以長度、面積或體積的單位(如每平方英寸1.2兆字節)。基于存儲在那里的(部分)內容來選擇每個可單獨訪問的信息單元。內容尋址存儲可以使用軟件(計算機程序)或五金器具(計算機設備)，硬件速度更快，但價格更高。硬件內容可尋址存儲器通常用于計算機的CPU緩存。ALSTOM BGTR8HE 24491276A1004 模塊連接器
使用半導體基于集成電路儲存信息的芯片。數據通常存儲在金屬-氧化物-半導體(MOS)存儲單元。一個半導體存儲芯片可能包含數百萬個存儲單元，由微小的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFETs)和/或MOS電容。兩者不穩定的和非易失性的存在多種形式的半導體存儲器，前者使用標準MOSFETs，后者使用浮柵MOSFETs。在現代計算機中，主存儲器幾乎完全由動態易失性半導體組成隨機存取存儲器(內存)，特別是動態隨機存取存儲器(DRAM)。世紀之交以來，一種非揮發性的浮動柵半導體存儲器被稱為閃存作為家用計算機的離線存儲器，已經穩步獲得了市場份額。非易失性半導體存儲器也用于各種高級電子設備和為其設計的專用計算機中的輔助存儲。使用不同的模式磁化在一個有磁力地儲存信息的涂層表面。磁性存儲器是非易失性的。使用一個或多個可包含一個或多個記錄傳感器的讀/寫頭來訪問信息。讀/寫頭僅覆蓋表面的一部分，因此為了訪問數據，頭或介質或兩者必須相對于另一個移動。在現代計算機中，磁存儲將采取以下形式
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