【產(chǎn)品詳情】
訪問存儲(chǔ)器中一個(gè)特定位置所需的時(shí)間。相關(guān)的測(cè)量單位通常是十億分之一秒對(duì)于主存儲(chǔ)，毫秒用于二級(jí)存儲(chǔ)，以及第二用于三級(jí)存儲(chǔ)。將讀取等待時(shí)間和寫入等待時(shí)間分開(特別是對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器)以及在順序存取存儲(chǔ)的情況下，最小、最大和平均等待時(shí)間是有意義的。從存儲(chǔ)器中讀取信息或向存儲(chǔ)器中寫入信息的速率。在計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中，吞吐量通常用每秒兆字節(jié)(MB/s)來表示比特率也可以使用。與延遲一樣，可能需要區(qū)分讀取速率和寫入速率。此外，順序訪問介質(zhì)(而不是隨機(jī)訪問)通常會(huì)產(chǎn)生最大的吞吐量。存儲(chǔ)信息的緊湊性。它是介質(zhì)的存儲(chǔ)容量除以長(zhǎng)度、面積或體積的單位(如每平方英寸1.2兆字節(jié))。基于存儲(chǔ)在那里的(部分)內(nèi)容來選擇每個(gè)可單獨(dú)訪問的信息單元。內(nèi)容尋址存儲(chǔ)可以使用軟件(計(jì)算機(jī)程序)或五金器具(計(jì)算機(jī)設(shè)備)，硬件速度更快，但價(jià)格更高。硬件內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器通常用于計(jì)算機(jī)的CPU緩存。ALSTOM BGTR8HE 24491276A1004 模塊連接器
使用半導(dǎo)體基于集成電路儲(chǔ)存信息的芯片。數(shù)據(jù)通常存儲(chǔ)在金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)存儲(chǔ)單元。一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片可能包含數(shù)百萬個(gè)存儲(chǔ)單元，由微小的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)和/或MOS電容。兩者不穩(wěn)定的和非易失性的存在多種形式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，前者使用標(biāo)準(zhǔn)MOSFETs，后者使用浮柵MOSFETs。在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中，主存儲(chǔ)器幾乎完全由動(dòng)態(tài)易失性半導(dǎo)體組成隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(內(nèi)存)，特別是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。世紀(jì)之交以來，一種非揮發(fā)性的浮動(dòng)?xùn)虐雽?dǎo)體存儲(chǔ)器被稱為閃存作為家用計(jì)算機(jī)的離線存儲(chǔ)器，已經(jīng)穩(wěn)步獲得了市場(chǎng)份額。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也用于各種高級(jí)電子設(shè)備和為其設(shè)計(jì)的專用計(jì)算機(jī)中的輔助存儲(chǔ)。使用不同的模式磁化在一個(gè)有磁力地儲(chǔ)存信息的涂層表面。磁性存儲(chǔ)器是非易失性的。使用一個(gè)或多個(gè)可包含一個(gè)或多個(gè)記錄傳感器的讀/寫頭來訪問信息。讀/寫頭僅覆蓋表面的一部分，因此為了訪問數(shù)據(jù)，頭或介質(zhì)或兩者必須相對(duì)于另一個(gè)移動(dòng)。在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中，磁存儲(chǔ)將采取以下形式
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