芯片基本介紹
ME8109BD8G主要針對適配器、充電器、開板電源、家電類、輔助電源而設計的一款高性能控制芯片。
ME8109BD8G內部集成了一個脈寬調制控制器和一個 650V（600V） 的高壓功率 MOSFET。
ME8109BD8G的啟動電流很低，電流模式脈寬調制使得在輕載時工作在節能模式。這些特性保證了電源能輕松達到最嚴苛的能源法規要求。
ME8109BD8G的集成功能包括電流檢測的前沿消隱，內部斜率補償，逐周期峰值電流限制和軟啟動。 另外，在誤動作時，過流保護(OCP)，過壓保護
(OVP) 和過載保護 (OLP) 、OTP能為芯片提供充分的保護。總之，ME8109BD8G擁有更好的特性和更低的電源成本.
ME8109BD8G主要特點如下：
1)低待機功耗：通過低功耗間歇工作模式設計，達到小于 100mW超低耗的性能。
2)無噪聲工作：優化的芯片設計可以使系統任何工作狀態下均可安靜地工作，系統最小工作頻率控制在 22K左右。
3)更低啟動電流：VDD啟動電流低至 5uA，可有效地減少系統啟動電路的損耗，縮短系統的啟動時間。
4)更低工作電流：工作電流約為 1.8mA， 可有效降低系統的損耗,提高系統的效率。
5)內置前沿消隱：內置 220nS前沿消隱（LEB），降低系統成本。
6)內置良好的 OCP 補償：內置了 OCP 補償功能，使系統在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內系統的 OCP曲線趨向平坦， 提高系統的性價比。
7)完善的保護功能：集成了完善的保護功能模塊。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使系統設計簡潔可靠，同時滿足安規的要求。
8)軟啟動功能：內置 4mS軟啟動功能,可有效降低系統開機 MOS管漏源之間電壓過沖。
9)較少的外圍器件：外圍比較簡單，可有效提高系統的功率密度，降低系統的成本。
10）優良的 EMI 特性： 內置的頻率抖動設計可以很有效的改善系統的 EMI 特性，同時可以降低系統的 EMI 成本。
