對(duì)于低頻信號(hào)說(shuō)來(lái)，晶體三極管是負(fù)載（耳機(jī)）接在集電極電路內(nèi)的放大器。此外，整個(gè)輸入回路兩端的高頻電壓，經(jīng)二極管Д1整流后得到直流電壓，作為晶體三極管集電極電路的直流電源。因?yàn)楸徽麟妷旱念l率很高，整流后的濾波只要用一只容量為0.1微法的電容器就行了。所示第二種電路與前一種電路的區(qū)別在于：這里采用了CДДC4組成的倍壓整流電路，用以提高直流供電電壓，從而增大晶體管的放大作用，使聲音響一些。在的第三種電路中，高頻電壓直接加在基極和發(fā)射極之間進(jìn)行整流，整流后在電阻R1上得到的直流電壓，用作為集電極電路的電源。
呼叫中心系統(tǒng)的公海就是一個(gè)公有的客戶池，公海管理員可對(duì)公海進(jìn)行權(quán)限設(shè)置，包括設(shè)置申領(lǐng)上限、回收條件等。例如將長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有坐席跟進(jìn)的商機(jī)回收至公海。公海管理一是讓銷售跟進(jìn)過(guò)程更有節(jié)奏，幫助提高銷售人員的跟進(jìn)商機(jī)的積極性；二是提高線索的利用率，讓企業(yè)客戶數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)起來(lái)，擴(kuò)大客戶數(shù)據(jù)的價(jià)值。
對(duì)于電銷人員來(lái)講，外呼方式是直接影響外呼效率的因素，例如，一個(gè)一個(gè)號(hào)碼輸入撥打和批量導(dǎo)入號(hào)碼撥打兩種方式對(duì)比，肯定是后者效率更高。通話質(zhì)量也是企業(yè)要特別關(guān)注的指標(biāo)，如果通話質(zhì)量差、信號(hào)不穩(wěn)定、聲音斷斷續(xù)續(xù)等會(huì)直接影響溝通效果，導(dǎo)致轉(zhuǎn)化效果差強(qiáng)人意。目前大部分電話外呼方案都是云部署方式，包含公有云（SaaS）和混合云兩種，混合云方案一般是指將電話線路通過(guò)接入到呼叫中心系統(tǒng)中，再連接客戶，因此企業(yè)端的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境對(duì)通話質(zhì)量有影響；相對(duì)來(lái)說(shuō)，公有云方案受網(wǎng)絡(luò)環(huán)境影響小。
呼叫中心系統(tǒng)在設(shè)計(jì)時(shí)，要從根源上防止各類惡意或無(wú)意的黑客行為以及病毒侵襲，對(duì)外部接入設(shè)置安全檢查和過(guò)濾，內(nèi)部坐席對(duì)主機(jī)的訪問(wèn)設(shè)置驗(yàn)證和有限授權(quán)并進(jìn)行審計(jì)，防止未經(jīng)授權(quán)的人員誤用或進(jìn)行違紀(jì)活動(dòng)。解決方案設(shè)計(jì)的經(jīng)濟(jì)性呼叫中心解決方案在設(shè)計(jì)時(shí)必須以經(jīng)濟(jì)為重要考慮因素，主要表現(xiàn)在兩個(gè)方面，一是設(shè)計(jì)的經(jīng)濟(jì)性，二是使用和管理的經(jīng)濟(jì)性，盡可能的節(jié)約投資和管理成本。系統(tǒng)的可靠性及穩(wěn)定性可靠性、穩(wěn)定性是呼叫中心系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要原則，產(chǎn)品采用合理架構(gòu)設(shè)計(jì)及有效測(cè)試排查手段，保證整個(gè)系統(tǒng)達(dá)到高級(jí)別穩(wěn)定性能，做到7×24h的全天服務(wù)，關(guān)鍵設(shè)備做到熱插拔、雙備份，達(dá)到通信運(yùn)營(yíng)要求水準(zhǔn)。
在日常的運(yùn)行過(guò)程中，呼叫中心系統(tǒng)需要提供對(duì)運(yùn)行情況的檢測(cè)和控制功能，從而保證系統(tǒng)的正常運(yùn)行，強(qiáng)大的功能，友好的界面對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行維護(hù)是今后系統(tǒng)充分發(fā)揮效力的關(guān)鍵，維護(hù)系統(tǒng)能夠讓系統(tǒng)更好的發(fā)揮功效。在選擇呼叫中心系統(tǒng)時(shí)，售后是一件很重要的事情，在客戶服務(wù)上一直都是遵循客戶至上的原則，購(gòu)買后又任何問(wèn)題都可以聯(lián)系售后，十分鐘響應(yīng)，7*24服務(wù)，同時(shí)為每個(gè)項(xiàng)目提供2+1的服務(wù)，有專來(lái)軟件工作程和技術(shù)工程師隨時(shí)為您服務(wù)。
當(dāng)輸入電壓突然由+VF變?yōu)?VR時(shí)Ｐ區(qū)存儲(chǔ)的電子和Ｎ區(qū)存儲(chǔ)的空穴不會(huì)馬上消失，但它們將通過(guò)下列兩個(gè)途徑逐漸減少：在反向電場(chǎng)作用下，Ｐ區(qū)電子被拉回Ｎ區(qū)，Ｎ區(qū)空穴被拉回Ｐ區(qū)，形成反向漂移電流IR，如下圖所示；與多數(shù)載流子復(fù)合。在這些存儲(chǔ)電荷消失之前，ＰＮ結(jié)仍處于正向偏置，即勢(shì)壘區(qū)仍然很窄，ＰＮ結(jié)的電阻仍很小，與RL相比可以忽略，所以此時(shí)反向電流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ結(jié)兩端的正向壓降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。