按質量計算，在SnO2中加入3～5％的ThO2，5％的Sm2．在600℃的H2氣氛中燒結，制成厚膜器件，工作溫度為400℃。則可作為CO檢測器件。上圖右圖是燒結溫度為600℃時氣敏器件的特性。可看出，工作溫度在170～200℃范圍內，對H2的靈敏度曲線呈拋物線，而對CO改變工作溫度則影響不大，因此，利用器件這一特性可以檢測H2。而燒結溫度為400℃制成的器件，工作溫度為200℃時，對H2、CO的靈敏度曲線形狀都近似呈直線，但對CO的靈敏度要高得多，可以制成對CO敏感的氣體傳感器。
還有采用絲網印刷工藝制成的厚膜器件和混合膜器件，這類器件具有集成度高，組裝容易，使用方便，便于批量生產的優點。 電阻型氣體傳感器的一種典型結構，它主要南SnO2敏感元件、加熱器、電極引線、底座及不銹鋼網罩組成。這種傳感器結構簡單，使用方便，可以檢測還原性氣體、可燃性氣體、蒸氣等。
非電阻型也是一類較為常見的半導體氣敏器件，這類器件使用方便，無需設置工作溫度，易于集成化，得到了廣泛應用。主要有結型和MOSFET型兩種。 結型氣敏傳感器件又稱氣敏二極管，這類氣敏器件是利用氣體改變二極管的整流特性來工作的。其結構如下圖左圖所示。它的原理是：貴金屬Pd對氫氣具有選擇性，它與半導體接觸形成接觸勢壘。當二極管加正向偏壓時，從半導體流向金屬的電子將增加，因此正向是導通的。